RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
44
En 41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.6
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
5.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
44
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
8.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
5.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
1660
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston 9905458-026.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C11 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link