RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
44
Около 41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.6
8.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
5.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
44
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
8.5
Скорость записи, Гб/сек
9.5
5.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
1660
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link