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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

総合得点
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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

総合得点
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Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB 考慮すべき理由
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    51 left arrow 73
    周辺 30% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 15.1
    テスト平均値
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB 考慮すべき理由
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.9 left arrow 1,839.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    51 left arrow 73
  • 読み出し速度、GB/s
    4,246.9 left arrow 15.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,839.1 left arrow 7.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    721 left arrow 1724

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