RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Porównaj
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Wynik ogólny
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
73
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
1,839.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
73
Prędkość odczytu, GB/s
4,246.9
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,839.1
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
721
1724
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link