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Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
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Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB vs Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
総合得点
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
総合得点
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
34
周辺 32% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.1
15.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.2
11.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
17000
周辺 1.13% 高帯域
考慮すべき理由
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
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仕様
技術仕様の完全リスト
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
23
34
読み出し速度、GB/s
17.1
15.4
書き込み速度、GB/秒
12.2
11.5
メモリ帯域幅、mbps
19200
17000
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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2763
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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