RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Сравнить
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB против Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Средняя оценка
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
34
Около 32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
11.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
34
Скорость чтения, Гб/сек
17.1
15.4
Скорость записи, Гб/сек
12.2
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2898
2763
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link