RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
29
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.2
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
19.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3622
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link