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Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
比较
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB vs Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
总分
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
总分
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
34
左右 32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
34
读取速度,GB/s
17.1
15.4
写入速度,GB/s
12.2
11.5
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2898
2763
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
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Kingston RB16D3LS1KBG/4G 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
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