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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
比較する
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
総合得点
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
総合得点
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
57
周辺 49% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
12.0
10.1
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
19.1
16.9
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
29
57
読み出し速度、GB/s
16.9
19.1
書き込み速度、GB/秒
12.0
10.1
メモリ帯域幅、mbps
19200
19200
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2601
2377
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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