Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Punteggio complessivo
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    29 left arrow 57
    Intorno 49% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.0 left arrow 10.1
    Valore medio nei test
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    19.1 left arrow 16.9
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    29 left arrow 57
  • Velocità di lettura, GB/s
    16.9 left arrow 19.1
  • Velocità di scrittura, GB/s
    12.0 left arrow 10.1
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2601 left arrow 2377
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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