Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    29 left arrow 57
    Wokół strony 49% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    12.0 left arrow 10.1
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    19.1 left arrow 16.9
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    29 left arrow 57
  • Prędkość odczytu, GB/s
    16.9 left arrow 19.1
  • Prędkość zapisu, GB/s
    12.0 left arrow 10.1
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2601 left arrow 2377
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania