RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
18.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
77
Wokół strony -267% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
21
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
4230
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link