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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

総合得点
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

総合得点
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Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 10.2
    テスト平均値
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB 考慮すべき理由
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    50 left arrow 62
    周辺 -24% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.5 left arrow 2,378.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    62 left arrow 50
  • 読み出し速度、GB/s
    4,670.6 left arrow 10.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,378.6 left arrow 7.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    861 left arrow 2064

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Kingston 9965684-013.A00G 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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メモリRAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
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