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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
比较
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
总分
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
总分
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
10.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
50
62
左右 -24% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.5
2,378.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
50
读取速度,GB/s
4,670.6
10.2
写入速度,GB/s
2,378.6
7.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
861
2064
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
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