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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Comparar
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Pontuação geral
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
10.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
50
62
Por volta de -24% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.5
2,378.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
50
Velocidade de leitura, GB/s
4,670.6
10.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,378.6
7.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
861
2064
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Comparações de RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
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