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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Inmos + 256MB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Inmos + 256MB

総合得点
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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

総合得点
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Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

相違点 仕様 コメント

相違点

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB 考慮すべき理由
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Inmos + 256MB 考慮すべき理由
Inmos + 256MB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 65
    周辺 -117% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    11.5 left arrow 6.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.1 left arrow 4.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    16800 left arrow 8500
    周辺 1.98 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Inmos + 256MB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    65 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    6.1 left arrow 11.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    4.2 left arrow 9.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 16800
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow no data
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    985 left arrow 2318

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAMの比較

Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB

Inmos + 256MB RAMの比較

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

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Inmos + 256MB
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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
メモリRAM
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
メモリRAM
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
メモリRAM
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
メモリRAM
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
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Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
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