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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Inmos + 256MB
比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Inmos + 256MB
总分
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
总分
Inmos + 256MB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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需要考虑的原因
Inmos + 256MB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
65
左右 -117% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.5
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.1
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
16800
8500
左右 1.98 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Inmos + 256MB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
30
读取速度,GB/s
6.1
11.5
写入速度,GB/s
4.2
9.1
内存带宽,mbps
8500
16800
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
no data
排名PassMark (越多越好)
985
2318
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAM的比较
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Inmos + 256MB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Inmos + 256MB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CM2X2048-8500C5C 2GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
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