RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

総合得点
star star star star star
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
バグを報告する
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB 考慮すべき理由
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 34
    周辺 -26% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.4 left arrow 16.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.5 left arrow 11.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 10600
    周辺 2.42 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    34 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    16.8 left arrow 17.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.3 left arrow 14.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2968 left arrow 3692

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB RAMの比較

G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
メモリRAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
メモリRAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
メモリRAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
メモリRAM