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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Puntuación global
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Razones a tener en cuenta
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
34
En -26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
16.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
11.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
27
Velocidad de lectura, GB/s
16.8
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
11.3
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2968
3692
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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