RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
34
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
11.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.3
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2968
3692
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Kingston 9905403-434.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link