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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
比較する
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
総合得点
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
総合得点
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
37
周辺 24% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.2
16
テスト平均値
考慮すべき理由
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
12.6
11.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
37
読み出し速度、GB/s
18.2
16.0
書き込み速度、GB/秒
11.5
12.6
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
3067
2808
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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