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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
総合得点
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
総合得点
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
46
周辺 37% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
24
11
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
20.0
8.7
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
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仕様
技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
29
46
読み出し速度、GB/s
24.0
11.0
書き込み速度、GB/秒
20.0
8.7
メモリ帯域幅、mbps
17000
17000
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
4156
2481
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
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