RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB

総合得点
star star star star star
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

総合得点
star star star star star
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB

Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB 考慮すべき理由
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 18.1
    テスト平均値
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB 考慮すべき理由
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 62
    周辺 -121% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.5 left arrow 1,843.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    62 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    3,556.6 left arrow 18.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,843.6 left arrow 15.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    542 left arrow 3706

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAMの比較

SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB

Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB RAMの比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
メモリRAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
メモリRAM