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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB

総合得点
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

総合得点
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Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB

Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB 考慮すべき理由
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 16.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    870.4 left arrow 13.4
    テスト平均値
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB 考慮すべき理由
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 87
    周辺 -181% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 5300
    周辺 4.02 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    87 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    3,155.6 left arrow 16.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    870.4 left arrow 13.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    417 left arrow 3239

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAMの比較

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Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Kingston 9905678-012.A00G 8GB
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
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