RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
87
Около -181% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
16.8
Скорость записи, Гб/сек
870.4
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
3239
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Unigen Corporation U51U7200N8DD-BDH 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link