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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Puntuación global
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Puntuación global
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
62
En -121% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
1,843.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,556.6
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,843.6
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
542
3706
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
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