Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

総合得点

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

総合得点

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

考慮すべき理由
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

3 16

テスト平均値

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

考慮すべき理由
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

37 62

周辺 -68% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

12.6 1,843.6

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 6400

周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

62 37
読み出し速度、GB/s

3,556.6 16.0
書き込み速度、GB/秒

1,843.6 12.6
メモリ帯域幅、mbps

6400 19200

Other

商品説明

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

542 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

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