Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Pontuação geral
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Pontuação geral
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Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    3 left arrow 16
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    37 left arrow 62
    Por volta de -68% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    12.6 left arrow 1,843.6
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 6400
    Por volta de 3 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    62 left arrow 37
  • Velocidade de leitura, GB/s
    3,556.6 left arrow 16.0
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,843.6 left arrow 12.6
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    542 left arrow 2808
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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