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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Pontuação geral
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Pontuação geral
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
62
Por volta de -68% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
1,843.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
37
Velocidade de leitura, GB/s
3,556.6
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,843.6
12.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
542
2808
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparações de RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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