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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Kingston KKN2NM-MIE 4GB
総合得点
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
総合得点
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
14.9
テスト平均値
考慮すべき理由
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
38
62
周辺 -63% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
11.2
1,843.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
62
38
読み出し速度、GB/s
3,556.6
14.9
書き込み速度、GB/秒
1,843.6
11.2
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
542
2174
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAMの比較
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB RAMの比較
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
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