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Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

総合得点
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Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB

Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB

総合得点
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB 考慮すべき理由
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    54 left arrow 61
    周辺 -13% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    10.4 left arrow 8.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.2 left arrow 6.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    23400 left arrow 21300
    周辺 1.1 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    61 left arrow 54
  • 読み出し速度、GB/s
    8.2 left arrow 10.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.4 left arrow 8.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 23400
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
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