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Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
比较
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
总分
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
54
61
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.4
8.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
6.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
21300
左右 1.1 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
61
54
读取速度,GB/s
8.2
10.4
写入速度,GB/s
6.4
8.2
内存带宽,mbps
21300
23400
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
1813
2259
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB RAM的比较
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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