Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

总分
star star star star star
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB

Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB

总分
star star star star star
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    54 left arrow 61
    左右 -13% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    10.4 left arrow 8.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    8.2 left arrow 6.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    23400 left arrow 21300
    左右 1.1 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    61 left arrow 54
  • 读取速度,GB/s
    8.2 left arrow 10.4
  • 写入速度,GB/s
    6.4 left arrow 8.2
  • 内存带宽,mbps
    21300 left arrow 23400
Other
  • 描述
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
  • 时序/时钟速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1813 left arrow 2259
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较