RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Compara
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Puntuación global
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
54
61
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.4
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
6.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
21300
En 1.1 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
61
54
Velocidad de lectura, GB/s
8.2
10.4
Velocidad de escritura, GB/s
6.4
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
23400
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1813
2259
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Kingston ACR16D3LU1MNG/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link