Comparación de la memoria RAM Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Puntuación global

Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB

Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

54 61

En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

10.4 8.2

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

8.2 6.4

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

23400 21300

En 1.1 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
Tiempos / Velocidad del reloj

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1813 2259

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns