Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Puntuación global
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Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB

Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB

Puntuación global
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    54 left arrow 61
    En -13% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    10.4 left arrow 8.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.2 left arrow 6.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    23400 left arrow 21300
    En 1.1 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    61 left arrow 54
  • Velocidad de lectura, GB/s
    8.2 left arrow 10.4
  • Velocidad de escritura, GB/s
    6.4 left arrow 8.2
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 23400
Other
  • Descripción
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1813 left arrow 2259
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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