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Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Comparez
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Note globale
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Note globale
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
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Raisons de considérer
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
54
61
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.4
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
21300
Autour de 1.1 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
61
54
Vitesse de lecture, GB/s
8.2
10.4
Vitesse d'écriture, GB/s
6.4
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
23400
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1813
2259
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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