RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Kingston KKN2NM-MIE 4GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
62
Около -63% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.2
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
38
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
14.9
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
2174
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link