RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB

総合得点
star star star star star
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

総合得点
star star star star star
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB

Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB 考慮すべき理由
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 19.6
    テスト平均値
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB 考慮すべき理由
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 62
    周辺 -130% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.0 left arrow 1,843.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    62 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    3,556.6 left arrow 19.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,843.6 left arrow 16.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    542 left arrow 3909

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAMの比較

SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB

Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
メモリRAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
メモリRAM