RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB

総合得点
star star star star star
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB 考慮すべき理由
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 16
    テスト平均値
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    55 left arrow 62
    周辺 -13% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.9 left arrow 1,843.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 6400
    周辺 4 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    62 left arrow 55
  • 読み出し速度、GB/s
    3,556.6 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,843.6 left arrow 12.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    542 left arrow 2699

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAMの比較

SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB

SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
メモリRAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
メモリRAM
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
メモリRAM
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
メモリRAM