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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
総合得点
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
総合得点
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
27
周辺 -23% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.7
16.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.7
11.8
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
22
読み出し速度、GB/s
16.7
17.7
書き込み速度、GB/秒
11.8
12.7
メモリ帯域幅、mbps
21300
21300
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2756
3075
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAMの比較
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Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
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