RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
27
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
17.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
3075
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link