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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
総合得点
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
31
35
周辺 -13% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.7
9.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.3
7.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
17000
周辺 1.25 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
35
31
読み出し速度、GB/s
9.8
15.7
書き込み速度、GB/秒
7.9
13.3
メモリ帯域幅、mbps
17000
21300
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
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