RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
35
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
7.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
31
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
15.7
Скорость записи, Гб/сек
7.9
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
21300
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2126
3318
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link