Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    31 left arrow 35
    Около -13% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    15.7 left arrow 9.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    13.3 left arrow 7.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 17000
    Около 1.25 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    35 left arrow 31
  • Скорость чтения, Гб/сек
    9.8 left arrow 15.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.9 left arrow 13.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    17000 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2126 left arrow 3318
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения