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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

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総合得点
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

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相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB 考慮すべき理由
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 34
    周辺 -26% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.4 left arrow 8.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.5 left arrow 5.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 10600
    周辺 2.42 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    34 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    8.6 left arrow 17.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.8 left arrow 14.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1682 left arrow 3692

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