Porównanie pamięci RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

Wynik ogólny

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

27 34

Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

17.4 8.6

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

14.5 5.8

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

25600 10600

Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1682 3692

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns