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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
総合得点
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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考慮すべき理由
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
28
周辺 -12% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.5
12.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.3
9.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
25
読み出し速度、GB/s
12.4
16.5
書き込み速度、GB/秒
9.6
12.3
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2329
3065
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
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Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
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Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
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