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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
総合得点
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
31
周辺 10% 低遅延
考慮すべき理由
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
16.7
12.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.5
9.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
31
読み出し速度、GB/s
12.4
16.7
書き込み速度、GB/秒
9.6
14.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2329
3598
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RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Super Talent F3200UA8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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