Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB

総合得点
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

総合得点
star star star star star
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB

Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB

相違点

  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 48
    周辺 42% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.6 left arrow 12.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.0 left arrow 9.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 12800
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 48
  • 読み出し速度、GB/s
    12.4 left arrow 16.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.6 left arrow 15.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    2329 left arrow 2963
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較