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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
総合得点
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
35
周辺 20% 低遅延
考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
14.8
12.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.2
9.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
35
読み出し速度、GB/s
12.4
14.8
書き込み速度、GB/秒
9.6
11.2
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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