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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
総合得点
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
31
周辺 10% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
12.4
11
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.6
8.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
31
読み出し速度、GB/s
12.4
11.0
書き込み速度、GB/秒
9.6
8.4
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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2271
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