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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs V-GEN D4H16GS24A8 16GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

総合得点
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V-GEN D4H16GS24A8 16GB

V-GEN D4H16GS24A8 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.6 left arrow 7.3
    テスト平均値
V-GEN D4H16GS24A8 16GB 考慮すべき理由
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 28
    周辺 -22% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.5 left arrow 12.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    12.4 left arrow 14.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.6 left arrow 7.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2329 left arrow 2361

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G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
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メモリRAM
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
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メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
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メモリRAM
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
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Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
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Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
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