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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
総合得点
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
49
周辺 41% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
13.4
9.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.0
8.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
29
49
読み出し速度、GB/s
13.4
9.8
書き込み速度、GB/秒
9.0
8.4
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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2277
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
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