RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
49
Около 41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
8.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
49
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
9.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2277
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link